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沈陽(yáng)科儀高真空定向凝固系統(tǒng)--DHN400 真空室結(jié)構(gòu):圓筒形上開(kāi)蓋 真空室尺寸::φ440x500mm 極限真空度:≤6.67E-5Pa 沉積源:無(wú) 樣品尺寸，溫度:約p80mmx230mm，1800°C 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約2米x2米x2米 電控描述:手動(dòng) 工藝:不含工藝

沈陽(yáng)科儀高真空單輥旋淬及噴鑄系統(tǒng)--XC500 真空室結(jié)構(gòu):圓筒形前開(kāi)門(mén) 真空室尺寸:φ500X300mm 極限真空度:≤6.67E-5Pa 沉積源: 樣品尺寸，溫度:感應(yīng)熔煉10克純鐵樣品，在30秒鐘內(nèi)化 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約2.7米x1.4米x2米 電控描述:手動(dòng) 特色參數(shù): 高速輥輪線(xiàn)速度0-50m/s可調(diào);坩堝手動(dòng)直線(xiàn)進(jìn)給機(jī)構(gòu);條帶接收器:Ф125x1500

沈陽(yáng)科儀高真空電子?xùn)|蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)--EB700 真空室結(jié)構(gòu): U形前開(kāi)門(mén) 真空室尺寸:700x700x900mm 極限真空度:≤6.6E-5Pa 沉積源:6個(gè)40cc坩堝 樣品尺寸，溫度:4英寸，26片，最高300℃C 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約3.2米x3.9米x2.1米 工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤3% 特色參數(shù): 工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根據(jù)用戶(hù)基片尺

沈陽(yáng)科儀高真空電弧熔煉及吸鑄系統(tǒng)--DHL400 真空室結(jié)構(gòu):圓筒形上升蓋 真空室尺寸:φ400X320mm 極限真空度:≤8.0E-5Pa 沉積源:無(wú) 樣品尺寸，溫度: 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約2.1米x2.2米x2.2米 電控描述:手動(dòng) 工藝:不含工藝 特色參數(shù):共有5工位(半球窩SR35)，3熔煉合金工位(帶磁攪拌)，1吸鑄工位，1熔煉除氣工位;

沈陽(yáng)科儀高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)--PLD450 真空室結(jié)構(gòu):球形前開(kāi)門(mén) 真空室尺寸:450mm 極限真空度:≤6.67E-6Pa 沉積源:2英寸靶材，4個(gè) 樣品尺寸，溫度:2英寸，1片，最高800℃C 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約1.8米x0.97米x1.9米 電控描述:全自動(dòng)

沈陽(yáng)科儀高真空電子?xùn)|及熱阻薄膜沉積系統(tǒng) 真空室結(jié)構(gòu):U形前開(kāi)門(mén) 真空室尺寸:500x500x600mm 極限真空度:≤6.67E-5Pa 沉積源:4個(gè)11cc坩堝 樣品尺寸，溫度:φ4英寸，1片，最高800C 占地面積(長(zhǎng)x寬x高):約2.7米x1.7米x2.1米 電控描述:全自動(dòng) 工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤+3% 特色參數(shù):樣品可自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速可調(diào)